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By Ulrich Tietze Christoph Schenk

In der 12. Auflage des bew?hrten Lehrbuchs ist ein Quantensprung gelungen. Erstmalig enth?lt der Tietze/Schenk f?nf neue Kapitel ?ber Schaltungen der Nachrichtentechnik, in denen die Grundlagen der Modulationsverfahren, der Aufbau von Sendern und Empf?ngern und deren Komponenten praxisnah behandelt werden. Damit wurde die Bandbreite des Tietze/Schenk in den Gigahertzbereich erweitert.

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In der 12. Auflage des bew?hrten Lehrbuchs ist ein Quantensprung gelungen. Erstmalig enth?lt der Tietze/Schenk f?nf neue Kapitel ?ber Schaltungen der Nachrichtentechnik, in denen die Grundlagen der Modulationsverfahren, der Aufbau von Sendern und Empf?ngern und deren Komponenten praxisnah behandelt werden. Damit wurde die Bandbreite des Tietze/Schenk in den Gigahertzbereich erweitert.

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Durch Differentiation von ID(UD,T) erhält man den Temperaturkoeffizienten des Stroms bei konstanter Spannung im Durchlaßbereich: 1 / üb-üb Γ=300 Κ UT h dT 0 , 0 4 . . 0,08 K" Mit Hilfe des totalen Differentials öU ÖL kann man die Temperaturänderung von UQ bei konstantem Strom bestimmen: dUD dT uD -uG ID=const. -3UT τ Γ=300Κ UD=0,7V m ^r y (1-5) K Die Durchlaßspannung nimmt demnach mit steigender Temperatur ab; eine Zunahme der Temperatur um 60 Κ führt zu einer Abnahme von UD um etwa 100 mV. Dieser Effekt wird in integrierten Schaltungen zur Temperaturmessung verwendet.

1 V und der Kapazitätskoeffizient m$ ^ 1/3... 2]. 12) führen, nicht mehr erfüllt. 13) für UD > fsUDiff Dabei gilt fs % 0 , 4 . . 0,7. Abb. 32 auf Seite 79 zeigt den Verlauf von Cs für ms = 1/2 und ms = 1/3. TIDD Der Parameter ττ wird Transitzeit genannt. 14) r UD_ J. enUT IK Im Diffusionsbereich gilt IDD ^> IDR und damit ID » IDD; daraus folgt für die Diffusionskapazität die Näherung: ... (L15) Bei Silizium-pn-Dioden gilt Xj & 1 . . 100ns; bei Schottky-Dioden ist die Diffusionsladung wegen r r « 10...

Bahnwiderstand Zur vollständigen Beschreibung des statischen Verhaltens wird der Bahnwiderstand RB benötigt; er setzt sich nach Abb. 15 aus den Widerständen der einzelnen Schichten zusammen und wird im Modell durch einen Serienwiderstand 4 In Abb. 4 ist die Kennlinie einer derartigen Diode dargestellt. 5 Es gilt: 10L/ r lnl0 = 0,6V. 3 Modell für eine Diode 21 a in der Diode b im Modell Abb. 15. Bahnwiderstand einer Diode berücksichtigt. 11) unterscheiden; in die Formeln für IDD, IDR und IDBR muß UD anstelle von UD eingesetzt werden.

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